在超高真空中，能十分精确地控制生长速率和成分的一种*外延方法。在超高真空室中将材料放在喷射炉内加热，使它升华而通过喷射炉上一个小口泻出，形成一束分子流，射到衬底表面，就淀积在上面形成外延层。分子束外延的特点是：(1)生长速率极慢，为0.1～1纳米/秒，因而可以生长极薄而厚度均匀的外延层，实际上是一种原子级的加工技术；(2)外延生长的温度低，可以避免衬底与外延层间的杂质再扩散，而获得杂质浓度分布异常陡峭的半导体pn结，同时又可避免通常在高温下产生的热缺陷；(3)由于生长在超高真空室中进行，衬底表面经过处理可成为完全清洁的，在外延过程中又可避免沾污，因而能生长出质量极好的外延层。
